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(100)、(111)晶向N、P导电型单双抛锗(Ge)单晶片面议
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外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片面议
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单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs)半导体晶片面议
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宽禁带半导体:氮化镓(GaN)单晶自支撑衬底片面议
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III-V化合物半导体锑化铟(InSb)衬底晶片,N、P型面议
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N型、P型、半绝缘型砷化镓(GaAs)半导体衬底晶片面议
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N型、P型、半绝缘型磷化铟(InP)化合物半导体衬底片面议
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蓝宝石\/硅\/碳化硅基氮化镓(GaN)外延片:LED,LD,HEMT应用面议
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常规与定制结构碳化硅(SiC)外延片用于功率器件面议
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砷化镓(GaAs)外延片:Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件应用面议