性能特点：
1.采用CSTBTTM硅片技术
2.饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
3.比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
4.成本优化的封装
5.内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
6.模块内部寄生电感小
7.功率循环能力显著改善

封装尺寸

型号与规格	参数	封装	整包装数
CM100DY-24A	100A/1200V 两单元	模组	9 PCS
CM150DY-24A	150A/1200V 两单元	模组	9 PCS
CM200DY-24A	200A/1200V 两单元	模组	9 PCS
CM300DY-24A	300A/1200V 两单元	模组	6 PCS
CM400DY-24A	400A/1200V 两单元	模组	6 PCS
CM600DY-24A	600A/1200V 两单元	模组	6 PCS
CM50MX-24A	50A/1200V	模组
CM300DX-12A	300A/600V	模组	3 PCS