第三代半导体材料有哪些？
第三代半导体材料主要包括氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和氮化铝（AIN）等宽禁带化合物。与硅（Si）材料相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半导体材料具有宽禁带、高击穿电压、高载流子迁移率、高导热率、高电子饱和速率等优点，在光电子器件、电力电子器件、固态光源等领域有着广泛的应用。目前，GaN和SiC材料研究较为广泛，发展*为迅速。

GaN材料禁带宽度达到了3.4 eV，因其优异的性能成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一。20世纪90年代以后，GaN半导体材料以年均30%的增长率快速发展，成为了激光器（LFs）及大功率LED的关键性材料，因为GaN禁带宽度覆盖了更广阔的光谱范围，使得GaN在高亮度LED、激光器产品领域有了商业应用。并且，GaN功率元件进入市场不久，有着与SiC相似的性能优势，以高功率GaN为例，具有更大的成本控制潜力和更大的输出功率，成为下一代功率元件的候选材料之一。

SiC具有高热导率，并且具有与GaN晶格失配小的优势，非常适合用作新一代LED衬底材料、大功率电力电子材料等。以SiC为代表的第三代半导体材料首先在LED半导体照明领域取得突破，实现规模化应用。目前，SiC器件生产成本持续降低，应用已得到普及，但是，因其使用中存在低电压部分，使得部分领域中仍旧以硅器件为主。可以肯定的是SiC功率器件市场将会持续走高。