三极管的特性曲线  三极管的特性曲线是用来表示各个电极间电压和电流之间的相互关系的，它反映出三极管的性能，是分析放大电路的重要依据。特性曲线可由实验测得，也可在晶体管图示仪上直观地显示出来。  1．输入特性曲线  晶体管的输入特性曲线表示了VCE为参考变量时，IB和VBE的关系。  图1是三极管的输入特性曲线，由图可见，输入特性有以下几个特点：  (1)  输入特性也有一个“死区”。在“死区”内，VBE虽已大于零，但IB几乎仍为零。当VBE大于某一值后，IB才随VBE增加而明显增大。和二极管一样，硅晶体管的死区电压VT（或称为门槛电压）约为0.5V，发射结导通电压VBE =（0.6~0.7）V；锗晶体管的死区电压VT约为0.2V，导通电压约（0.2~0.3）V。若为PNP型晶体管，则发射结导通电压VBE分别为(-0.6 ~ -0.7)V和(-0.2~ -0.3)V。  （2）一般情况下，当VCE >1V以后，输入特性几乎与VCE=1V时的特性重合，因为VCE >1V后，IB无明显改变了。晶体管工作在放大状态时，VCE总是大于1V的（集电结反偏），因此常用VCE≥1V的一条曲线来代表所有输入特性曲线。  2.输出特性曲线  晶体管的输出特性曲线表示以IB为参考变量时，IC和VCE的关系，即:  图2是三极管的输出特性曲线，当IB改变时，可得一组曲线族，由图可见，输出特性曲线可分放大、截止和饱和三个区域。   （1） 截止区 ：IB = 0的特性曲线以下区域称为截止区。在这个区域中，集电结处于反偏，VBE≤0发射结反偏或零偏，即VC>VE≧VB。电流IC很小，（等于反向穿透电流ICEO）工作在截止区时，晶体管在电路中犹如一个断开的开关。  （2） 饱和区 ：特性曲线靠近纵轴的区域是饱和区。当VCE<VBE时，发射结、集电结均处于正偏，即VB>VC>VE。在饱和区IB增大，IC几乎不再增大，三极管失去放大作用。规定VCE=VBE时的状态称为临界饱和状态，用VCES表示，此时集电极临界饱和电流：

三极管的主要参数  工作电压/电流  用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.  特征频率fT  :当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.  hFE  电流放大倍数.  VCEO  集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.  PCM  最大允许耗散功率.  封装形式  指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现

 

三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。

 

 

 

下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。

 

三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于0.7V时，基极电流都是0）。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流（叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻），那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效（因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了）。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小；当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。

 

下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制（Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压），集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0（这叫做三极管截止），相当于开关断开；当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。

 

如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时（大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β），三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加（在三极管未饱和之前）。

 

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来——变成朝里的了。

 

Vo = Vcc-Ic*Rc是直流信号，用一个隔直电容将直流电压,也就是Vcc隔离掉，输出就只剩下Vo = -Ic*Rc了。注意这里的Ic实际上不是真正的Ic,而是ΔIc,即由输入交流信号导致Ic变化的那部分. 输出电压跟输入电压反向,所以它是反向放大器

 

对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量，。

 

但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流

 

放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。

 

假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。

 

所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。

 

如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。

 

在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。

 

如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。

 

饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的击穿。

 

在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。

 

而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。

 

截止区：应该是那个小的阀门开启的还不够，不能打开打阀门，这种情况是截止区。

 

饱和区：应该是小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，但是 你关小 小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。

 

线性区：就是水流处于可调节的状态。

 

击穿区：比如有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Vce太大），导致有缺口产生，水流流出。而且，随着小阀门的开启，这个击穿电压变低，就是更容易击穿了.

 

NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流 放大和开关作用。

 

半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母B表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母C表示）和发射极（用字母E表示）。

三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。

2工作原理

 

三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射

 

原理图[1]

极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。

三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。

在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大。

3NPN三极管放大电路解析

 

 

如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。[2]

三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。

下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。

如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

但是在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。因此我们只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来——变成朝里的了。

4常用三极管

 

电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管） 等，它们的型号也都印在金属的外壳上。

第一部分的3表示为三极管。 第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 第三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。

5实验方法

 

按接线图表5接好电路,注意三极管e、b、c三个管脚及发光二极管的极性不要接错。R1是基极的偏置电阻,当用红线(W)接到14号弹簧或8号弹簧时都可向基极加上偏置电流使三极管导通,(即c、e极间相当于短路),发光二极管D导通发光。当红线(W)接到20号弹簧时,由于20号弹簧的电位低,三极管不导通(即c、e间相当于断路)发光二极管D不发光。

6元件作用

 

电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。

三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。

估算NPN型三极管的电流放大系数的简单方法：

黑表笔接c极,红表笔接e极,在c,b极间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。

 

三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。s9013 NPN三极管主要用途：作为音频放大和收音机1W推挽输出 。

 

s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示：

三极管引脚图

 

9013三极管[1]

e b c

当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法：

(a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。

如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。）

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据

9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80

9012 PNP 50V 500mA 600mW 高频管 放大倍数30-90

9013 NPN 20V 625mA 500mW 高频管 放大倍数40-110

9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90

8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100

8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。

详情如下：

90系列三极管参数

90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN

集电极应对应集电极电压

集电极-基电压 50V

射极-基极电压 5V

集电极电流0.03A

耗散功率 0.4W

结温150℃

特怔频率 平均 370MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

9012 结构：PNP

集电极-发射极电压 -30V

集电极-基电压 -40V

射极-基极电压 -5V

集电极电流0.5A

耗散功率 0.625W

结温150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

9013 结构：NPN

集电极-发射极电压 25V

集电极-基电压 45V

射极-基极电压 5V

集电极电流0.5A

耗散功率 0.625W

结温150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

9014 结构：NPN

集电极-发射极电压 45V

集电极-基电压 50V

射极-基极电压 5V

集电极电流0.1A

耗散功率 0.4W

结温150℃

特征频率 最小 150MHZ

放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000

9015 结构：PNP

集电极-发射极电压 -45V

集电极-基电压 -50V

射极-基极电压 -5V

集电极电流0.1A

耗散功率 0.45W

结温150℃

特怔频率 平均 300MHZ

放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000

9016 结构：NPN

集电极-发射极电压 20V

集电极-基电压 30V

射极-基极电压 5V

集电极电流0.025A

耗散功率 0.4W

结温150℃

特怔频率 平均 620MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

9018 结构：NPN

集电极-发射极电压 15V

集电极-基电压 30V

射极-基极电压 5V

集电极电流0.05A

耗散功率 0.4W

结温150℃

特怔频率 平均 620MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

三极管8550

8550是一种常用的普通三极管。

它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管

集电极-基极电压Vcbo：-40V

工作温度：-55℃ to +150℃

和8050（NPN）相对。

主要用途：

开关应用

射频放大

三极管8050

8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。

8050三级管参数：类型：开关型； 极性：NPN； 材料：硅； 最大集存器电流(A)：0.5 A； 直流电增益：10 to 60； 功耗：625 mW；最大集存器发射电（VCEO）：25；频率：150 KHz

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列

图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列

8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。

8050S 8550S S8050 S8550 参数：

耗散功率0.625W（贴片：0.3W）

集电极电流0.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出

按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档

放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 参数：

耗散功率1W

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档

放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300

8050SS 8550SS 参数：

耗散功率： 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档

放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3：300-400

引脚排列有EBC ECB两种

SS8050 SS8550 参数：

耗散功率：1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档

放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300

引脚排列多为EBC

UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC

8050S 8550S 引脚排列有ECB

这种管子很少见

参数：

耗散功率1W

集电极电流0.7A

集电极--基极电压30V

集电极--发射极击穿电压20V

特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出

放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档

C：120-200 D：160-300 E：280-400

NEC的8050

最大集电极电流(A):0.5 A;

直流电增益：10 to 60；

功耗：625 mW；

最大集电极-发射极电压（VCEO）：25；

频率：150 MHz 。

其它的8050

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K。

值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。

9013三极管

9013是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是NPN型小功率三极管。也可用作开关三极管。注意:9013功率小于9014，相互替代时应考虑电流大小。

2引脚参数

 

参数：结构 NPN

集电极-发射极电压 25V

集电极-基极电压 45V

发射极-基极电压0.7V

集电极电流Ic Max 0.5A

耗散功率 0.625W

工作温度 -55℃ ~ +150℃

特征频率 150MHz

放大倍数 D64-91 E78-122 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

主要用途 放大电路。

 

9014是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是npn型小功率三极管。

 

9014三极管参数

 

集电极最大耗散功率PCM=0.4W（Tamb=25℃）

集电极最大允许电流ICM=0.1A

集电极基极击穿电压BVCBO=50V

集电极发射极击穿电压BVCEO=45V

发射极基极击穿电压BVEBO=5V

集电极发射极饱和压降VCE(sat)=0.3V (IC=100mA; IB=5mA)

基极发射极饱和压降VBE(sat)=1V (IC=100mA; IB=5mA)

特征频率fT=150MHz

HFE： A=60~150; B=100~300; C=200~600; D=400~1000

1主要用途

 

作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、VCD、

DVD、电动玩具等电子产品（与C9015互补）

2 识别方法

 

(a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极 均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值 都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如 9013，9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的 两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。

如果像9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C 极。（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。）

 

晶体三极管的种类很多，分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类：   1，按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管；

2，按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等；

3，按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管；

4，按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管；

5，按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管；

6，按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。