NCE609使用先进的沟槽技术，提供优秀的RDS(ON)和低栅极充电。互补的MOSFETs可用于形成一个电平移动的高侧开关，并用于许多其他应用程序。

一般特征
● N通道
VDS=40V，ID=21A
RDS（ON）<19米Ω @ VGS=10V
RDS（ON）<29米Ω @ VGS=4.5V
● P通道
VDS=-40V，ID=-14A
RDS（ON）<35米Ω @ VGS=-10V
RDS（ON）<45米Ω @ VGS=-4.5V
● 高功率和电流处理能力
● 获得无铅产品

● 表面贴装封装