IGBT凭借其高输入阻抗、驱动电路简单、开关损耗小等优点在MOSFET和BJT的基础上有效降低了n漂移区的电阻率，大大提高了器件的电流能力。目前IGBT已经能够覆盖从600V—6500V的电压范围。

我国拥有很大的功率半导体市场，目前IGBT等高端器件的研发与国际大公司相比有着较明显的差距，IGBT技术集成度高又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商目前占有绝对的市场优势。本期从国外主流厂商的系列产品着手，看目前位于行业头部的IGBT产品。

Infineon IGBT模块

三菱IGBT模块

T/T1 系列搭载新推出的采用CSTBT*1结构，能够减少功率损耗。同时在模块中内置了三相整流器，逆变器和CIB。在封装上采用了相变热界面材料，提高了热循环寿命，大大提高工业设备的可靠性。与三菱现有的其他模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%，满足市场小型化的需求。

T/T1 系列同样在过载工况下容许的较高运行温度高至175 ℃，发射极电压较大为650V，电流为100A，在工业应用上足够覆盖不同工况。

3级变频器用 IGBT模块

这个系列是3级变频器专用的IGBT模块。按照3电平逆变器的要求，对采用CSTBT结构的IGBT规格进行了优化。端子位置经过精心设计，1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，在尺寸上做到了更小，同时提高了设计自由度。

同时，这个系列拥有共射连接的双向开关模块，兼容3电平逆变器，功耗约减少了30%。加之采用了新型封装，大幅减少了杂散电感，对逆变器电路结构起到了极大的简化作用。