类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  系列 U-MOSVIII-H  包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带    零件状态 在售  FET 类型 N 通道  技术 MOSFET（金属氧化物）  漏源电压（Vdss） 80 V  25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A（Tc）  驱动电压（Rds On，最小 Rds On） 10V  不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 4 毫欧 @ 30A，10V  不同 Id 时 Vgs(th)（值） 4V @ 1mA  不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 59 nC @ 10 V  Vgs（值） ±20V  不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 5300 pF @ 40 V  FET 功能 -  功率耗散（值） 1.6W（Ta），78W（Tc）  工作温度 150°C（TJ）  安装类型 表面贴装型  供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）  封装/外壳 8-PowerVDFN