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中芯晶研供应外延级化合物半导体砷化镓（GaAs）单晶片
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外延生长砷化镓（GaAs）薄膜用于微波射频器件
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锑化镓（GaSb）单晶III-V族化合物半导体生产可供衬底与外延片
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半导体材料生产商供应红外、光学、外延级单晶锗
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半导体厂商供应III-V化合物砷化铟（InAs）单晶片
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MOCVD\/HVPE生长宽禁带半导体氮化镓（GaN）薄膜片
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MOCVD\/HVPE生长硅\/碳化硅\/蓝宝石基氮化镓（GaN）薄膜片
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碳化硅（SiC）外延片用于SBD，MOSFET，MESFET等器件制备，可定制
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N型、P型、半绝缘型4H-SiC单晶切割、抛光、超薄衬底片，可定制
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III-V族直接带隙半导体：导电型与半绝缘型氮化镓（GaN）衬底
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外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片
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单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片
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宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片
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III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型
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N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片
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N型、P型、半绝缘型磷化铟（InP）化合物半导体衬底片
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常规与定制结构碳化硅（SiC）外延片用于功率器件
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三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光
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（100）、(111)晶向N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片
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外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片
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