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砷化镓（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件应用
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三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光
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（100）、(111)晶向N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片
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外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片
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单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片
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宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片
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III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型
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N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片
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N型、P型、半绝缘型磷化铟（InP）化合物半导体衬底片
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蓝宝石\/硅\/碳化硅基氮化镓（GaN）外延片：LED，LD，HEMT应用
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常规与定制结构碳化硅（SiC）外延片用于功率器件
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砷化镓（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件应用
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三五族半导体N型、P型锑化镓（GaSb）晶片，单面、双面抛光
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（100）、(111)晶向N、P导电型单双抛锗（Ge）单晶片
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外延级N型与半绝缘型4H碳化硅(4H-SiC)衬底晶片
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单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs）半导体晶片
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宽禁带半导体：氮化镓（GaN）单晶自支撑衬底片
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III-V化合物半导体锑化铟（InSb）衬底晶片，N、P型
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N型、P型、半绝缘型砷化镓（GaAs）半导体衬底晶片
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N型、P型、半绝缘型磷化铟（InP）化合物半导体衬底片
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