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3DD175(3DD176)NPN硅低频大功率晶体管
来自：西安骊创电子科技有限公司销售部
4人民币
发布时间：2012-10-22
关注次数：853
产品参数
商品详情
3DD175(3DD176)NPN硅低频大功率晶体管
特点 产品采用三重扩散工艺，抗烧毁能力强，二次击穿耐量高，温度稳定性好，抗热疲劳能力强
应用范围 低速开关，低频功率放大，电源调整
试用温度范围 -55 ---+175℃
质量等级 国军标JP
执行标准 GJB33-97
极限参数
项 目 |
符 号 |
测试条件 |
规 格 |
单位 |
|||||
A |
B |
C |
D |
E |
F |
||||
集电极-发射极电压 |
VCEO |
50 |
100 |
150 |
200 |
250 |
300 |
V |
|
集电极-基极电压 |
VCBO |
5 |
V |
||||||
最大集电极电流 |
ICM |
30 |
A |
||||||
最大集电极耗散功率 |
PCM |
300 |
W |
||||||
最高结温 |
Tjm |
TC≤75℃ |
175 |
℃ |
|||||
存储温度 |
Tjstg |
-55---+175 |
℃ |
||||||
hFE色标
颜色 |
红 |
橙 |
黄 |
绿 |
蓝 |
紫 |
hFE |
15-25 |
25-40 |
40-55 |
55-80 |
80-120 |
120-180 |
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