一. 晋中控制线ZR-KVVP-2*2.5规格书矿用通信电缆MHYVRP执行标准;MT818.14-1999
二. 电缆型号及名称:
MHYVRP—煤矿用聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套软芯屏蔽通信电缆;
三. 晋中控制线ZR-KVVP-2*2.5规格书产品用途:
用于平巷。
四. 产品主要性能指标,在20℃时符合下表要求:
型号 |
规格 |
导体结构 根数/单根导体直径mm |
导体直流电阻 (Ω/Km) |
固有衰减 (dB/Km) |
绝缘电阻 (MΩ/Km) |
工作电容 (uF/Km) |
MHYVRP |
3*2*0.5 |
24/0.2 |
39 |
≤1.10 |
≥3000 |
≤0.06 |
MHYVRP |
1*6*0.5 |
24/0.2 |
39 |
≤1.10 |
≥3000 |
≤0.06 |
MHYVRP |
1*6*0.3 |
16/0.15 |
66.5 |
≤1.10 |
≥3000 |
≤0.06 |
五. 晋中控制线ZR-KVVP-2*2.5规格书电缆结构符合表1~表3 的要求:
表1 mm
型号 |
规格 |
导体结构 根数/单线标称直径 |
绝缘标称厚度 |
外护套标称厚度 |
电缆外径 |
MHYVRP |
3*2*0.5 |
16/0.2 |
0.5 |
1.6 |
12.1 |
MHYVRP |
3*2*0.5 |
16/0.2 |
0.5 |
1.0 |
8.5 |
MHYVRP |
1*3*0.3 |
16/0.15 |
0.3 |
0.8 |
5.4 |
晋中控制线ZR-KVVP-2*2.5规格书主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作外围电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。
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