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西门子6ES7134-4GB10-0AB0
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来自:湖南西田电子科技有限公司
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发布时间:2020-12-10 关注次数:103
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西门子6ES7134-4GB10-0AB0

2AI, I, ST, 4-WIRE

西门子6ES7134-4GB10-0AB0

变频器设置较高的脉冲频率所带来的好处有:

  • 较高脉冲频率可以获得更高的输出频率

  • 对于驱动特定电机不需要降容,例如1FW力矩电机、SIMOTICS FD电机

  • 某些特定应用例如等时同步通讯可以不降容或者少降容,例如等时同步模式需要电流环扫描周期为125 μs或其整数倍

  • 在变频驱动系统中,可降低电机的电磁噪声,同时有助于减小IGBT开关噪声

S120 Chassis-2的脉冲调制频率出厂默认为2.5 kHz,相较于现在的S120 Chassis-1提高了一倍,这样获得提高脉冲频率带来的优势,又极大减小降容带来的影响。

在自由负载周期中,负载电流周期性的变化将导致IGBT芯片温度升高及温度波动,从而减少IGBT的使用寿命。为减少温升和温度变化对IGBT的影响,需要减小负载电流,进行一定的装置降容。降容系数kIGBT是短时电流和基本负载电流的比值ΔI与负载循环周期T的函数,对于现有的SINAMICS G130,G150和S120,不同额定功率的装置共有三种不同的降容特性曲线,具体信息可以参考推文“自由负载周期的降容kIGBT的计算”。S120 Chassis-2由于采用了统一的新型IGBT设计及新型的冷却技术,将三种不同的降容特性曲线归为一种,降容的值与S120 Chassis-1相比减小了一半,不仅工程设计上更简化,而且可以给客户提供更加经济的解决方案。

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