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上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 140
来自：伯东企业(上海)有限公司
面议
发布时间：2020-9-9
关注次数：73
产品参数
商品详情
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.
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阳极 |
电感耦合等离子体 |
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最大阳极功率 |
1kW |
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最大离子束流 |
> 500mA |
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电压范围 |
100-1200V |
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离子束动能 |
100-1200eV |
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气体 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-40sccm |
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压力 |
< 0.5mTorr |
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离子光学, 自对准 |
OptiBeamTM |
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离子束栅极 |
14cm Φ |
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栅极材质 |
钼, 石墨 |
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离子束流形状 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 |
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高度 |
25.1 cm |
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直径 |
24.6 cm |
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锁紧安装法兰 |
12”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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