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上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.

KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

适用于集成在小型的真空腔体内.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40 特性:

1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.

2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.

3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束

4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用

6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

离子源型号	RFICP 40
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>100 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm
直径	13.5 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

伯东KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：

1. 预清洗

2. 表面改性

3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,

4. 溅镀和蒸发镀膜 PC

5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD

6. 离子蚀刻 IBE

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
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