产地IGBT模块FF1000R17IE4、FF1200R17KE3等

  infineon英飞凌、赛米控（西门康）SEMIKRON 可控硅 IGBT 系列产品，本公司可直接向德国订货，货源稳 交期快 量大更优惠！保证每颗型号都为原装正品新件。欢迎新老客户咨询！

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FZ1600R12KE3、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1600R12KL4C
FZ1800R12KF4、FZ1800R12KL4C、FZ1800R12HP4_B9
FZ3600R12KE3、FZ600R12KS4、FZ600R12KE3、FZ600R12KE3_B1
FZ600R12KE4、FZ600R12KP4、FZ600R12KS4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R12KL4C、FZ2400R12KE3、FZ400R17KE3、FZ800R12KS4_B2

FZ2400R12KE3、FZ2400R12KE3_B9、FZ2400R12KF4
FZ2400R12KL4C、FZ2400R12HP4_B9
FZ2400R17KE3、FZ2400R12HP4
FZ3600R12KE3、FZ3600R12HP4、
FD300R12KS4_B5 
FS系列   
FS10R06XL4、FS15R06XL4、FS20R06XL4、FS30R06XL4
FS75R06KL4、FS100R06KL4、FS150R06KL4、FS200R06KL4
FS400R12KF4、FS75R12KS4、FS100R12KS4、FS25R12KE3G
FS50R12KE3、FS75R12KE3、FS100R12KE3、FS150R12KE3
FS300R12KE3、FS450R12KE3、FS10R12YT3、FS15R12YT3
FS35R12KT3、FS50R12KT3、FS75R12KT3、FS75R12KT3G
FS150R12KT3、FS50R06YL4、FS300R12KF4、FS35R12KE3G

FS225R12KE3、FS25R12KT3、FS100R12KT3

英飞凌 IGBT(2U):FF75R12Y3、FF100R12YT3、FF150R12YT3、BSM25GB120DN2、

BSM35GB120DN2、BSM50GB120DN2、BSM75GB120DN2、BSM100GB120DN2、BSM100GB120DN2K、

BSM150GB120DN2、BSM200GB120DN2、BSM300GB120DN2、BSM50GB120DLC、BSM75GB120DLC、

BSM100GB120DLC、BSM150GB120DLC、BSM200GB120DLC、BSM300GB120DLC、BSM100GB120DLCK、

FF100R12KS4、FF150R12KS4、FF200R12KS4、FF300R12KS4、FF400R12KS4、FF600R12KF4、

FF400R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C、FF800R12KL4C、FF150R12KE3、

FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KT3、

FF400R12KT3、FF400R16KF4、FF600R16KF4、FF400R17KF6C_B2、FF600R17KF6C_B2、

FF800R17KF6C_B2、FF401R17KF6C_B2、FF200R17KE3、FF300R17KE3、FF600R17KE3、

FF800R17KE3、FF1200R17KE3、FF400R17KE3_B2、FF600R17KE3_B2、FF800R17KE3_B2、

FF1200R17KE3_B2、FF650R17IE4、FF1000R17IE4、BSM50GB170DN2、BSM75GB170DN2、

BSM100GB170DN2、BSM150GB120DN2、BSM100GB170DLC、BSM75GB170DLC、BSM150GB170DLC、

BSM200GB170DLC、FF150R17ME3G、FF225R17ME3、FF300R17ME3、FF450R17ME3、BSM50GB60DLC、

BSM75GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB60DLC、BSM200GB60DLC、BSM300GB60DLC、

FF200R06K3、FF300R06KE3、FF400R06KE3、FD300R06KE3、FF450R06ME3、FF600R06ME3.

  TOSHIBA IPM 东芝智能型，带驱动保护功能 IPM 
型号 技术指标 型号 技术指标
MIG50J7CSA0A 50A/600V/7U MIG400J101H 400A/600V/2U
MIG75J7CSA0A 75A/600V/7U MIG50Q201H 50A/1200V/7U 驱动
MIG100J7CSA0A 100A/600V/7U MIG75Q201H 75A/1200V/7U 驱动
MIG150J7CSA0A 150A/600V/7U MIG75Q202H 75A/1200V/7U 驱动
MIG500J101 500A/600V/7U MIG100Q201H 100A/1200V/7U 驱动
MIG20J103H 20A/600V/6U MIG150Q101H 150A/1200V/ 2U
MIG20J106L 20A/600V MIG200Q101H 200A/1200V/ 2U
MIG30J103H 30A/600V/6U MIG300Q201H 300A/1200V/ 2U
MIG50J101H 50A/600V/6U MIG50Q7CSA0X 50A/1200V/ 7U
MIG50J201H 50A/600V/7U MIG75Q7CSA0X 75A/1200V/ 7U
MIG75J101H 75A/600V/6U MIG100Q7CSA0X 100A/1200V/ 7U
MIG75J201H 75A/600V/7U MIG150Q7CSA0X 150A/1200V/ 7U
MIG100J101H 100A/600V/6U MIG50Q6CMB1X 50A/1200V/ 6U
MIG100J201H 100A/600V/7U MIG75Q6CMB1X 75A/1200V/ 6U
MIG150J202H 150A/600V/7U MIG100Q6CMB1X 100A/1200V/ 6U
MIG200J201H 200A/600V/7U MIG150Q6CMB1X 150A/1200V/ 6U
MIG300J101H 300A/600V/2U 
东芝复合模块 PIM 
型号 技术指标 型号 技术指标
MIG15J805H 三相桥 +6U/15A/600V MIG50J901H 三相桥 +7U/50A/600V
MIG20J805H 三相桥 +6U/20A/600V MIG50J904H 三相桥 +7U/50A/600V
MIG20J902H 三相桥 +6U/20A/600V MIG10Q805H 三相桥 +6U/10A/1200V
MIG30J804H 三相桥 +6U/30A/600V MIG15Q804H 三相桥 +6U/15A/1200V
MIG30J904H 三相桥 +7U/30A/600V MIG15Q904H 三相桥 +7U/15A/1200V
MIG50J804H 三相桥 +6U/50A/600V MIG15Q901H 三相桥 +7U/15A/1200V
MIG20J806H 三相桥 +6U/20A/600V MIG25Q804H 三相桥 +6U/25A/1200V
MIG30J902H 三相桥 +6U/30A/600V MIG25Q904H 三相桥 +7U/25A/1200V
MIG30J901H 三相桥 +7U/30A/600V MIG10Q806H 三相桥 +6U/10A/1200V
MIG25Q901H 三相桥 +7U/25A/1200V MIG15Q904H 三相桥 +7U/15A/1200V
MIG25Q906H 三相桥 +7U/25A/1200V MIG25Q806H 三相桥 +6U/25A/1200V
MIG15Q806H 三相桥 +6U/15A/1200V MIG15Q901H 三相桥 +7U/15A/1200V
  MOTOROLA 摩托罗拉 PIM 整流逆变集成 
型号 技术指标 型号 技术指标
MHPM7A15A60A 15A/600V/7U MHPM7B12A120A 12A/1200V/7U
MHPM7B15A60A 15A/600V/7U MHPM7A15A120A 15A/1200V/7U
MHPM7A20A60A 20A/600V/7U MHPM7B15A120A 15A/1200V/7U
MHPM7A30A60B 30A/600V/7U MHPM7A16A120B 16A/1200V/7U
MHPM7A8A120A 8A/1200V/7U MHPM7B25A120B 25A/1200V/7U
  IXYS Three phase 三相全桥 IGBT 模块 
型号 技术指标 型号 技术指标
MUBW15-06A6 15A(90℃时)/600V MUBW15-12A7 25A(80℃时)/1200V
MUBW20-06A6 20A(90℃时)/600V MUBW25-12A7 35A(80℃时)/1200V
MUBW10-12A6 8A(90℃时)/1200V MUBW35-12A7 35A(80℃时)/1200V
MUBW15-12A6 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

保管时的注意事项

 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合； 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方； 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物； 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。  IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。