6ES7223-1QH32-0XB0 

1、高能量氧化工艺

Lee等人利用氧等离子体对PDMS晶片表面进行处理，使其表面形成带负电的基团，然后对PDMS表面进行静电改性，从而有效地抑制PDMS表面蛋白的非特异性吸附。Pruden等人利用氨等离子体对PDMS晶片表面进行处理，通过控制处理时间、温度及等离子体强度，使PDMS晶片表面、氨基及亚胺基功能化。

2、动态修整

Ocvirk等人通过改变PDMS芯片微通道上对四基氧化氨（TBAC1）和十烷基硫酸钠（SDS）进行修饰，以改变其表 面电势，从而有效控制电渗。对非离子型表面活性剂Tween 20对PDMS芯片微通道进行动态修饰。因为Tween 20分子内部的疏水链可以通过疏水作用来固定在PDMS芯片的微通道表面，而其分子中的P氧乙烯链部分可形成亲水性的网状结构排布，该方法能较好地抑制电渗流，同时还能有效地抑制芯片微通道上氨基酸的非特异性吸附，实现四个氨基酸的高效、快速分离。

3，本体修整

Luo等人将碳炼酸（UDA）作为添加剂与液体PDMS混合固化，从而制备出本体修饰的PDMS芯片，提高分析物的分离效率，并改善峰展。在PDMS芯片制造过程中，肖艳等将聚乳酸聚乙醇作为添加剂加入到PDMS芯片预聚体中，实现了掺杂改性。研究发现，本体修饰的PDMS芯片表面EOF和接触角均有下降，能有效地抑制PDMS蛋白的非特异性吸附，并成功地用于两种氨基酸的有效分离。

4溶胶单凝胶工艺

Bertson和ROrTlari使用金属溶胶凝胶法修饰PDMS芯片表面 ，其过程如下：金属醇盐（异丙酶），异丙醇铬，三异丁钒氧合成氨）是通过水蒸v扩散和修饰PDMS晶片通道表面，经水解形成稳定的金属氧化物。井且在整个PDMS芯片中均匀分布，不产生任何化学反应，从而大大提高了PDMS芯片微通道表面的亲水性。

5层层叠组装修饰

Chen等人利用溶菌酶牛血清白蛋白膜对PDMS芯片进行多次组装修饰 ，使EOF的稳定性得到提高，实现了环境污染苯二胺、氨酚类、神经递质多巴胺和肾上腺素的有效分离，Wang在PDMS芯片微通道中对聚烯丙基二甲基氧和聚4-苯乙烯酸钠盐进行了有效的分离，并对其进行了有效的分离。

6.化学气相淀积法

Moorcroft研究，PDMS晶片经过臭氧或紫外光处理，再通过气相沉积技术在处理后的晶片表面沉积SiO2，以实现微量DNA序列的检测。另外，Larger等人将聚五氟苯酚和对位二甲基苯相沉积在PDMS芯片表面，实现了对细胞的捕捉，并有效地抑制了罗丹明B在晶片表面的非特异性吸附。

7.表面共价嫁接

Hu等人在PDMS芯片微通道上嫁接了丙烯酸、酞胺、二甲基酞、聚（乙烯基乙二醇）丙烯酸酯和聚（乙烯基乙醇甲 氧基丙烯酸脂等，使晶片通道表面变得亲水性，并保持30小时左右。Tseng等通过使用H20 ：的氧化反应和硅烷化处理PDMS芯片表面，可以成功地修饰具有氨基的PVA。聚乙烯醇修饰的PDMS芯片表面具有长时间的稳定性，可以应用于生物分子的固定，抑制蛋白的非特异性吸附。

8.微珠修饰技术

陈等人提出了一种在PDMS晶片微通道中修饰硅颗粒的新方法 ，这种微粒可以将酶、蛋白质等生物大分子固定在晶片通道表面，使之集成和系统研究。

近年来，国内外对PDMS表面修饰的研究较多，但各种修饰方法名有其优缺点，例如，动态修饰技术可以简便快速地减少分析物在PDMS微道表面的非特异性吸附。但这种动态修饰层在电泳分离时会出现一些损失，因而稳定性较差。尽管化学共价修饰可以改善修饰层的稳定性，但是，在修饰过程中往往很繁琐，有些需要很长时间。有些需要使用有机或有毒试剂，由于PDMS芯片易溶于有机试剂，造成微通道的扭曲变形因此大大限制了其在生化分析中的应用范围。

6ES7223-1QH32-0XB0  S7-200
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扩展模块 
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6ES7 222-1EF22-0XA0 EM222 8出 120V/230VAC，0.5A 开关量
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6ES7 223-1HF22-0XA8 EM223 4入 24VDC/4出 继电器
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6ES7 223-1PM22-0XA8 EM223 32入 24VDC/32出 继电器
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6ES7 231-7PD22-0XA8 EM231 4入*热电偶，模拟量
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6GK7 243-2AX01-0XA0 CP243-2 AS-i接口模块
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6GK7 243-1GX00-0XE0 CP243-1IT 工业以太网模块
附件 
6ES7 291-8GF23-0XA0 MC291,新CPU22x存储器盒,64K
6ES7 297-1AA23-0XA0 CC292,CPU22x时钟/日期电池盒
6ES7 291-8BA20-0XA0 BC293,CPU22x电池盒
6ES7 290-6AA20-0XA0 扩展电缆,I/O扩展,0.8米,CPU22x/EM

序号
名称
描述
订货号
1
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CPU222 DC / DC / DC8 输入/ 6 输出
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2
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CPU221
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S7-200扩展模块：
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6ES7221-1BH22-0XA8 EM 221 数字量输入模块，16 输入24 VDC 
6ES7222-1BF22-0XA8 EM 222 数字量输出模块，8 输出24 VDC 
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6ES7223-1BF22-0XA0 EM 223 数字量输入/ 输出模块，4 输入/4 输出24V DC 
6ES7223-1HF22-0XA8 EM 223 数字量输入/ 输出模块，4 输入24 VDC/4 继电器输出 6ES7223-1BH22-0XA8 EM 223 数字量输入/ 输出模块，8 输入/8 输出24 VDC 
6ES7223-1PH22-0XA8 EM 223 数字量输入/ 输出模块，8 输入24 VDC/8 继电器输出 6ES7223-1BL22-0XA8 EM 223 数字量输入/ 输出模块，16 输入/16 输出24 VDC 
6ES7223-1PL22-0XA8 EM 223 数字量输入/ 输出模块，16 输入24 VDC/16 继电器输出 
6ES7231-0HC22-0XA8 EM 231 模拟量输入模块，4 输入 
6ES7231-7PB22-0XA8 EM 231 2 路输入热电阻 
6ES7231-7PD22-0XA8 EM 231 4 路输入热电偶 
6ES7232-0HB22-0XA8 EM 232 模拟量输出模块，2 输出 
6ES7235-0KD22-0XA8 EM 235 模拟量输入/ 输出模块4 输入/1 输出 
6ES7241-1AA22-0XA0 EM 241 调制解调器模块 
6ES7253-1AA22-0XA0 EM 253 定位模块 
6ES7277-0AA22-0XA0 EM 277 PROFIBUS-DP 模块 
6GK7243-1EX00-0XE0 CP 243-1 以太网模块 
6GK7243-1GX00-0XE0 CP 243-1 IT 版以太网模块 
6GK7243-2AX01-0XA0 CP 243-2 AS-i 接口模块 
6ES7291-8GE20-0XA0 MC 291，32K x 8 EEPROM 存储器盒 
6ES7291-8GF23-0XA0 存储卡，64 Kbytes 
6ES7291-8GH23-0XA0 存储卡，256 Kbytes 
6ES7297-1AA20-0XA0 CC 292，CPU 22x 时钟/ 日期电池盒 
6ES7297-1AA23-0XA0 新CPU 221 和222 时钟卡（包括电池卡功能） 
6ES7291-8BA20-0XA0 BC 293，CPU 22x 电池盒 
6ES7290-6AA20-0XA0 扩展电缆，I/O 扩展，0.8 米，CPU 22x/EM 
6ES7901-3CB30-0XA0 编程通讯电缆，PC/PPI，RS232/485 转换，带光电隔离，

6ES7223-1QH32-0XB0