·描述 该真空烧结退火炉是生产半导体器件和磁性材料烧结、退火工序中的重要设备。 主要技术指标： 1、工作温度：400～1250℃ 2、单点温度控制精度≤±1℃/24h 3、恒温区长度：≥200mm/±1℃ 4、升温功率：≤5KVA 5、升温时间：（室温至1050℃)≤75min 6、保温功率：≤3KVA 7、重新定值重复性：≤±1℃ 8、重开机重复性：≤±1℃    冷态真空度：≤5 x 10-3Pa（打开扩散泵门后15min） 9、炉体传动升降分：自动及点动，速度无级调速，自动烧结烧结为0～30min 10、真空室尺寸：φ80㎜～φ300mm 11、设备外形尺寸：1703 x 703 x 2450 (mm)(长 x 宽 x 高） 12、重量：约600Kg 13、工作条件： (1)环境温度：10～45℃ (2)相对湿度：≤85% (3)电网电压：220V ± 10% ～ 380V

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