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FF200R12KE4电子元器件英飞凌\/INFINEON封装标准封装批号19
来自：上海萱鸿电子科技有限公司
300.00人民币
发布时间：2023-9-27
关注次数：61
产品参数
商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| FF200R12KE4 电子元器件 英飞凌/INFINEON 封装标准封装 批号19 品牌 | 英飞凌 | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 19 | ||
| 数量 | 2000 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 产品种类 | IGBT 模块 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 2.05 V | ||
| 在25 C的连续集电极电流 | 240 A | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 1100 W | ||
| 封装 / 箱体 | 62 mm | ||
| 最小工作温度 | - 40 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 高度 | 30.5 mm | ||
| 长度 | 106.4 mm | ||
| 宽度 | 61.4 mm | ||
| 安装风格 | Chassis Mount | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
| 零件号别名 | FF200R12KE4HOSA1 SP000370604 FF200R12KE4HOSA1 | ||
| 单位重量 | 340 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FF200R12KE4 | ||
技术参数
| 品牌： | 英飞凌/INFINEON |
| 型号： | FF200R12KE4 |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 19 |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.05 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 240 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 1100 W |
| 封装 / 箱体： | 62 mm |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 高度： | 30.5 mm |
| 长度： | 106.4 mm |
| 宽度： | 61.4 mm |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 零件号别名： | FF200R12KE4HOSA1 SP000370604 FF200R12KE4HOSA1 |
| 单位重量： | 340 g |
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