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驱动IC在一些非挥发性存储器如相变存储器（Phase-Change Memory；PCM）、磁阻存储器（Magneto Resistive Memory；M-RAM）、电阻存储器（Resistive Memory；RRAM）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，DDR4将可能是末代的DDR存储器，届时电脑与软体结构将会出现极为剧烈的变动。

　　NAND Flash逼近制程物理极限 以3D提升容量密度

　　以浮闸式（Floating Gate）半导体电路所设计的NAND Flash非挥发性存储器，随着Flash制程技术不断进化、单位容量 不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。

　Micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体NAND Flash容量应用的年复合成长率可达51。2013年，美光（Micron）与SK Hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的NAND Flash存储器技术，而东芝（Toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关NAND Flash存储器芯片产品。

　　NAND Flash传输速率，从2010年ONFI 2.0的133MB/s，eMMC v4.41的104MB/s；到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0规格，传输速率提升到200MB/s，eMMC v4.5拉高到200MB/s，UFS 1.0传输速率为2.9Gbps；2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s，UFS v2.0传输速率倍增为5.8Gbps；预估到2015年，ONFI v4.x/Toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800MB/s、1.6GB/s。

随着NAND Flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（P/E Cycles）的缩减。SLC存储器从3x纳米制程的100，000次P/E Cycles、4个ECC bit到2x纳米制程降为60，000 P/E、ECC 24bit。MLC从早期5x纳米制程10，000 P/E、ECC 8bit，到2x/2y纳米制程时已降为3，000 P/E、24~40个ECC bit。

　　有厂商提出，eSLC、iSLC的存储器解决方案，以运用既有的 的MLC存储器，在单一细胞电路单元使用SLC读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写 度提升到30，000次P/E， 虽比MLC高，但 远优于SLC，可应用在IPC／Kiosk／POS系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。