砷化铟（InAs）是一种由铟和砷组成的直接跃迁半导体，类似于砷化镓，其禁带宽度为0.45eV（300K）。其外观为灰色立方晶体，熔点为942°C，晶格常数为0.6058nm，砷化铟晶体结构为闪锌矿结构。砷化铟以其高电子迁移率和窄能带隙而众所周知，被广泛用作太赫兹辐射源。
可供N型和P型半导体砷化铟晶片，规格参数如下：

1. 砷化铟单晶片规格

2. InAs晶片应用
InAs单晶具有高电子迁移率，是制造霍尔器件的理想材料。此外，InAs晶片的发射波长为3.34μm，在InAs衬底上可以生长晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纤通信激光器和探测器。

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