锑化镓（GaSb）半导体在 III-V族化合物材料中具有较小的带隙，在室温下其能带隙为 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下为 0.81 eV (1.53 μm)，适用于工作在红外区域的光电器件和波长范围为 1-5 μm 的电子器件。可提供锑化镓晶片如下：

1. 锑化镓单晶片

2.?锑化镓材料特性
2.1 GaSb 化学性质

2.2 GaSb 电气性能

2.3 GaSb 热学、机械和光学性能

3. 锑化镓晶片应用
GaSb晶片可用于红外探测器、红外LED、激光器和晶体管以及热光电系统。

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