5V低容瞬变二极管ESD静电防护器件ESD5301N

Ultra-Low Capacitance1-Line ESD protection

低电容瞬态电压抑制器二极管阵列

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ESD5301N-2/TR DFN1006-2L 10000/Tape&Reel

一：ESD静电二极管ESD5301N-2/TR

参数：

封装：DFN1006-2L

电压：5.0V

击穿电压：7.0--9.0V

钳位电压：11V

容值：0.65pF

功率：60W

二：ESD静电二极管ESD5301N-2/TR

特性：

1、小体积外形尺寸

2、在8x20μs脉冲下峰值功率可达60W

3、低漏电流

4、响应时间通常小于1ns

5、依据人体模型ESD额定值为三级(＞16kV)

6、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)

7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)

DL0501P1单向TVS 5V 0.8PF@1MHz

DL0521P1双向TVS 5V 0.25PF@1MHz

DL3321P1双向TVS 3.3V 0.3PF@1MHz

ESD静电保护二极管参数详解

? VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至

? VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。

? IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。

? IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。

? VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。

? C J：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。

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