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CM50E3U-12E三菱IGBT模块igbt高频电源双向可控硅库存充足
CM50E3U-12E三菱IGBT模块igbt高频电源双向可控硅库存充足
来自:上海萱鸿电子科技有限公司
110.00人民币
发布时间:2024-5-20 关注次数:19
产品参数
产品参数
品牌 三菱
规格型号 CM50E3U-12E
编号 CM50E3U-12E
计量单位
付款方式 面议
价格单位 人民币
商品详情
产品参数
型号CM50E3U-12E
材质
输出电流50A
输入电压1200V
封装标准封装
用途电源模块
是否进口
规格标准
加工定制
工作环境室内式
数量999
批号22
品牌三菱

上海萱鸿电子提供巴斯曼Bussmann、英飞凌infineon、西门康、西门子Siemens、三社、艾赛斯、日之出、富士等厂家熔断器、可控硅模块、晶闸管、IGBT模块、二极管整流桥的半岛体模块,咨询热线:。CM50E3U-12E三菱 IGBT模块 igbt高频电源双向可控硅库存充足

三菱系列:

1 IGBT额定电压的选择

三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流电压的值:

在开关工作的条件下,fGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍,根据IGBT规格的电压等级,选择1 电压等级的IGBT。

2 IGBT额定电流的选择

以30kW器为例,负载电流约为79A,由于负载电气启动或加速时,电流过载,一般要求1分钟的时间内,承受1.5倍的过流,择负载电流约为 ,建议选择电流等级的IGBT。

3 IGBT开关参数的选择

的开关频率一般小于10 kH Z,而在实际工作的过程中,fGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT,以30 kW ,逆变频率小于10kH z的变频器为例,选择IGBT的开关参数见表1。

4 影响IGBT可靠性因素

1)栅电压。

IGBT工作时,必须有正向栅电压,常用的栅驱动电压值为15~187,用到20V, 而棚电压与栅极Rg有很大关系,在设计IGBT驱动电路时, 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值,设计合适驱动参数,保证合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系,正向栅电压越高,开通损耗越小,正向压降也咯小。

在桥式电路和大功率应用情况下,为了避免干扰,在IGBT关断时,栅极加负电压,一般在-5- 15V,保证IGBT的关断,避免Miller效应影响。

2)Miller效应。

为了降低Miller效应的影响,在IGBT栅驱动电路中采用改进措施:(1)开通和关断采用不同栅电阻Rg,on和Rg,off,确保IGBT的有效开通和关断;(2)栅源间加c,对Miller效应产生的电压进行能量泄放;(3)关断时加负栅压。在实际设计中,采用三者合理组合,对改进Mille r效应的效果更佳。

5 结束语

(1)IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件,也是逆变器中主要工作器件,合理选择IGBT是保证IGBT可靠工作的前提,同时,要根据三相逆变电路结构的特点,选择低通态型IGBT为佳。

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