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NTF2955T1G场效应管ON封装SOT223批号21
来自：深圳市芯诚惠电子有限公司
0.9200人民币
发布时间：2024-8-20
关注次数：8
产品参数
商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封装 | SOT223 | ||
| 批号 | 21 | ||
| 数量 | 16000 | ||
| 制造商 | onsemi | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-223-3 | ||
| 晶体管极性 | P-Channel | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 185 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V | ||
| 20 V | |||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 14.3 nC | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 175 C | ||
| Pd-功率耗散 | 2.3 W | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 配置 | Single | ||
| 下降时间 | 38 ns | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 1.77 S | ||
| 高度 | 1.57 mm | ||
| 长度 | 6.5 mm | ||
| 上升时间 | 7.6 ns | ||
| 系列 | NTF2955 | ||
| 晶体管类型 | MOSFET | ||
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 3.5 mm | ||
| 宽度 | 250 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | NTF2955T1G | ||
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