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光刻胶AZ胶正胶负胶AZ5214EAZ5200EAZ4562AZ1500系列

来自：武汉迈可诺科技有限公司

4200.00人民币

发布时间：2024-11-1 关注次数：6

产品参数

商品详情

产品参数
品牌	默克
产品名称	AZ胶光刻胶 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500系列
产品规格	125ml、250ml、500ml
用途范围	适用于高分辨率工艺
是否进口	是
加工定制	否
包装规格	1kg
容量	125ml、250ml、500ml
可售卖地	北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏
型号	AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500

AZ5214E高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化。AZ5214E匀胶厚度1.5μm~3μm，AZ5200E系列匀胶厚度为：0.5μm~6μm。

AZ5214E特征：

1) 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)；

2) 适用于正/负图形；

3) 很宽的膜厚范围。

AZ 5200E系列光刻胶参考工艺条件：

前烘?：100℃ 60秒 (DHP)；

曝光?：I线步进式曝光机/接触式曝光机；

反转烘烤?：110~125℃ 90秒 (DHP):去离子水30秒；

全面曝光?：310~405nm

?(在曝光光源下全面照射)；

显影?：AZ300MIF (2.38) 23℃ 30~60秒Puddle；

? ? ? ? ：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；

? ? ? ? ：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；

清洗?：去离子水30秒；

后烘?：120℃ 120秒 (DHP)；

剥离?：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化；

产品型号：

型号	AZ5206E	AZ5214E	AZ5218E	AZ5200NJ
粘性	7mPa	25mPa	40mPa	85mPa

AZP4620超厚膜，高对比度，高感光度G线标准正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。

特征：

1) 高对比度，高感光度

2) 高附着性，对电镀工艺高耐受性

3) 多种粘度可供选择

参考工艺条件：

前烘?：100℃ 90秒以上 (DHP)

曝光?：G线步进式曝光机/接触式曝光系统

显影?：AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒

清洗?：去离子水

后烘?：120℃ 60秒以上

剥离?：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

产品型号：

型号	AZ P4210	AZ P4330	AZ P4400	AZ P4620	AZ P4903
粘性	49mPa	115mPa	160mPa	400mPa	1550mPa

AZ?4500系列??AZ4562

具有最佳粘附力的厚光刻胶

特点：

AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能：

l??优化对所有常见基材的附着力

l??宽广的工艺参数窗口，可实现稳定且可重复的光刻工艺

l??与所有常见的显影液兼容（基于KOH或TMAH）

l??与所有常见的去胶剂兼容（例如AZ100去胶剂、有机溶剂或碱性溶剂）

l??对g，h和i线敏感（约320-440 nm）

l??光刻胶厚度范围约?3-30微米

AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）的溶剂浓度不同，因此可达到的光刻胶膜厚有较大的范围：

光刻胶型号	光刻胶膜厚范围	包装规格
AZ???4533	转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 μm；通过改变转速，膜后可达2.5-5 μm。	多规格包装，如1L、2.5L等
AZ???4562	转速为4000 rpm时，膜厚约为3.3 μm；通过改变转速，膜后可达4.5-10 μm；调整旋转轮廓（中等旋涂速度下短时间旋涂），可达30 μm膜厚。	多规格包装，如1L、2.5L等

若光刻胶膜厚度 30 μm？

通常，AZ?4562可以用来涂覆厚度达30微米及以上。然而，在该厚度范围内，软烘烤、曝光、显影等变得非常耗时。此外，如果涂得太厚，AZ?4562也可能在曝光期间形成N2气泡。因此，对于厚度大于30 μm的光刻胶膜厚度，强烈建议使用化学放大的AZ?40 XT光刻胶。

显影液——适用于AZ???4500光刻胶

如果可以使用含金属离子的显影液，可使用1：4稀释的KOH基AZ?400K作为显影液（对于更高的光刻胶膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀释浓度）。

如果必须使用不含金属离子的显影液，我们建议使用基于TMAH基的AZ?326 MIF，AZ?726 MIF或AZ?826 MIF显影剂（未稀释）。

去胶剂——适用于AZ???4500光刻胶

对于非交联的光刻胶薄膜，可以使用AZ?100作为去胶剂，DMSO或其他常见的有机溶剂作为剥离剂。如果光刻胶膜已交联（例如，在干法蚀刻等离子工艺或离子注入时，> 140°C的高温步骤时），我们建议使用不含NMP的TechniStrip P1316作为去胶剂。

EM胶

电子束光刻胶
型号	光源	类型	分辨率	厚度（um)	适用范围
SU-8 GM1010	电子束	负性	100nm	0.1-0.2	可用于做高宽比较大的纳米结构。
HSQ XR-1541-002/004/006	电子束	负性	6nm	30nm~180nm	分辨率最好的光刻胶，抗刻蚀。
HSQ Fox-15/16	电子束	负性	100nm	350nm~810nm	分辨率最好的光刻胶，抗刻蚀。
PMMA(国产)	电子束	正性			高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，最常用的电子束光刻正胶。
PMMA（进口）	电子束	正性			MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，最常用的电子束光刻正胶。