型号：IRFB260NPBF

品牌：IR

封装：TO-220(TO-220-3)

种类：MOS场效应管

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：56A

漏源电压（Vdss）：200V

栅源极阈值电压（最大值）：4V @ 250uA

漏源导通电阻（最大值）：40 mΩ @ 34A，10V

类型：N 沟道

功率耗散（最大值）：380W

公司所销售产品设计世界各名厂IC：TI德州仪器、ST意法半导体、ON安森美、Infineon英飞凌

YAGEO国巨、FH风华、CJ江苏长电、TDK、Sunlord顺络、MICROCHIP美国微芯

ADI亚德诺、PANASONIC松下、ST先科、MORNSUN金升阳、STC宏晶、NXP恩智浦

muRata村田、UniOhm台湾厚声、VISHAY威世、DIODES美台、HF宏发

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IC芯片(Integrated Circuit集成电路)是将大量的微电子元器件(晶体管、电阻、电容等)形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。而今几乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。

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