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南麟NP2301 20V P沟道增强型MOSFET管
来自：深圳市东诚兴电子有限公司
0.1人民币
发布时间：2022-7-14
关注次数：638
产品参数
商品详情
南麟NP2301 20V P沟道增强型MOSFET管
南麟NP2301 20V P沟道增强型MOSFET管
南麟NP2301 20V P沟道增强型MOSFET管
描述
NP2301A采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和
栅极电压低至1.8V时运行。这
该装置适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
VDS=-20V，ID=-2.8A
RDS（开启）（典型）=75米Ω @VGS=-2.5V
RDS（开启）（典型）=60米Ω @VGS=-4.5V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
应用
PWM应用
负荷开关
包裹
SOT-23-3L
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