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南麟NP3415 p 沟道增强型MOSFET
来自：深圳市东诚兴电子有限公司
0.2人民币
发布时间：2022-7-15
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产品参数
商品详情
南麟NP3415 p 沟道增强型MOSFET
南麟NP3415 p 沟道增强型MOSFET
南麟NP3415 p 沟道增强型MOSFET
描述 NP3415E采用先进的沟槽技术 为了提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和 以低至1.8V的栅极电压工作。这 器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。 一般特征 VDS =-20V，ID =-4A RDS(开)(典型值。)= 42mω@ VGS =-2.5V RDS(开)(典型值。)= 38.3mω@ VGS =-4.5V 高功率和电流处理能力 收购无铅产品 表面贴装封装 ESD额定值:2500伏HBM 应用 PWM应用 负荷开关
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