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NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET

来自：深圳市东诚兴电子有限公司

0.11人民币

发布时间：2022-7-29 关注次数：660

产品参数

商品详情

NP1216DR-G南麟12V P沟道增强型MOSFET

描述

NP1216DR采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS（ON）

一般特征

、低栅极电荷和

栅极电压低至1.8V时运行。这

该装置适合用作负载开关或PWM

应用。 VDS=-12V，ID

R=-16A

DS（ON）（典型值）=18米Ω @VGS

R=-2.5V

DS（开）（典型值）=13mΩ @VGS

 高功率和电流处理能力

=-4.5V

 获得无铅产品

 表面贴装封装

应用

 PWM应用

 负荷开关

包裹

 DFN2*2-6L-B