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NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET

来自：深圳市东诚兴电子有限公司

0.1人民币

发布时间：2022-7-29 关注次数：764

产品参数

商品详情

NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET

描述

NP4N10MR采用先进的沟槽技术

提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和高

超低导通电阻密度电池设计。这

该装置适合用作负载开关或PWM

应用。

一般特征

 VDS=100V，ID=4A RDS（开）（典型值）=110mΩ @VGS=10V

RDS（开）（典型值）=150mΩ @VGS=4.5V

 高功率和电流处理能力

 获得无铅产品

 表面贴装封装

应用

 PWM应用

 负荷开关

包裹

 SOT-23-3L

示意图

D G S

标记和针脚分配