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英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3
英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3
来自:北京京诚宏泰科技有限公司
9999人民币
发布时间:2023-11-20 关注次数:350
产品参数
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品牌 英飞凌
规格型号 FZ1000R33HL3
编号 FZ1000R33HL3
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付款方式 款到发货
价格单位 人民币
商品详情

英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3

北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3

产品详细信息
Infineon FZ1000R33HL3 单开关 IGBT 模块配有 TRENCHSTOP ™ IGBT3和发射器控制的 3 二极管。此模块具有高功率密度和 AlSiC 基板,用于提高热循环能力。
VCES 为 3300 V
IC 标称值为 1500 A
ICRM 为 3000 A
它可保持高电流密度

产品特征描述:

  1. 提高工作温度Tvj op
  2. 低开关损耗
  3. 低 VCEsat
  4. Tvj op = 150°C
  5. 4 kV 交流 1 分钟绝缘
  6. 封装的 CTI > 400
  7. 高爬电距离和电气间隙
  8. 铜基板
  9. UL 认证

产品优势:

  • 高功率密度
  • 标准封装


IGBT
IGBT是什么?
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3
优点:热稳定性好、安全工作区大。
缺点:击穿电压低,工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3
特点:

击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉

北京京诚宏泰科技有限公司销售西门子SIEMENS

6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、电容、晶闸管、IGBT、驱动板
中压变频备件器、电源、操作面板、隔离开关、风机及其他系列;GH180罗宾康A1A/ASE((电路板、控制板、模块)、LDZ(功率单元、模块、互感器)等
变频器等备件 北京京诚宏泰科技有限公司
产品备件;
6SE70变频器:6SE70驱动/功率/接口板、6SY7000电容、6SY7010晶闸管
SIEMENS 北京京诚宏泰科技有限公司
M440/M430变频器及备件;
低压传动
S120变频器:IGD A5E控制板﹔6RA直流调速器:6RA80、6RX、6RY17/18等备件。
工业通讯及 北京京诚宏泰科技有限公司
A5EO8混合电缆;LDS备件A5E002/003等系列;
分析仪 北京京诚宏泰科技有限公司
电源产品
6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
低压电器
3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
6BK、6DD、6DL、6DP及西门子各类系统软件等备件;
其他类
ABB变频器配件 晶闸管可控硅 传感器 电容 IGBT IGCT 流互感器(ES2000、ESM2000)、

3300V IGBT模块型号:
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模块FZ1000R33HL3
IGBT模块FZ1000R33HE3
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IGBT模块FZ825R33HE4D

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