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IGBT模块LGM200SG65S1T1
来自：福建安溪灿宏电子科技有限公司
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发布时间：2024-11-23
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产品参数
商品详情
陆芯新一代Trench Field-Stop技术的650V 10A~200A 系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A 系列IGBT、1700V系列IGBT；通过设计和优化器件的导通压降Vcesat，开关损耗Eon和Eoff，短路能力Tsc，达到更高功率密度，更优异性能，更强可靠性；完适应于新能源车，电机驱动，高频电源，感应加热等各类领域和行业需求。
特点和优势：
1.优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，达到工业级和汽车级可靠性标准；
2.控制少子寿命，优化饱和压降和开关速度，实现安全工作区（SOA）和短路电流安全工作区SCSOA性能优；
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性，抑制IGBT的闩锁效应；
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺；实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
LGM40HF120S2F2A
LGM100HF120S2F1A
LGM100HF120S2F1B
LGM75HF120S2F2
LGM200HF120S4F1A
LGM150HF120S4F2
LGM400HF65S4T1A
LGM50FFB120C1T1H
LGM40FFB120C1T1
LGM240TU120Q1F2
LGM450ML65Q2F2
LGM400HF65S4T1A
LGM600HF65S4T1
LGM150FFB120C2T1M
LGM200SG65S1T1
LGM10PJ120E1T3A
LGM15PJ120E1T3A
LGM50HF120S2F2A
特点和优势：
1.优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，达到工业级和汽车级可靠性标准；
2.控制少子寿命，优化饱和压降和开关速度，实现安全工作区（SOA）和短路电流安全工作区SCSOA性能优；
3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性，抑制IGBT的闩锁效应；
4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺；实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。
LGM40HF120S2F2A
LGM100HF120S2F1A
LGM100HF120S2F1B
LGM75HF120S2F2
LGM200HF120S4F1A
LGM150HF120S4F2
LGM400HF65S4T1A
LGM50FFB120C1T1H
LGM40FFB120C1T1
LGM240TU120Q1F2
LGM450ML65Q2F2
LGM400HF65S4T1A
LGM600HF65S4T1
LGM150FFB120C2T1M
LGM200SG65S1T1
LGM10PJ120E1T3A
LGM15PJ120E1T3A
LGM50HF120S2F2A
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