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BSM200GB120DN2B英飞凌IGBT模块 晶体管
来自：上海萱鸿电子科技有限公司
260人民币
发布时间：2021-4-26
关注次数：127
产品参数
商品详情
| 产品型号 | BSM200GB120DN2B |
| 制造商编号 | 641-BSM200GB120DN2B |
| 描述 | IGBT Modules 1200V 200A DUAL |
| 产品种类 |
IGBT 模块 |
| 产品 |
IGBT Silicon Modules |
| 配置 |
Half Bridge Module |
| 集电极—发射极蕞大电压 VCEO |
1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 |
2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 |
290 A |
| 栅极—射极漏泄电流 |
400 nA |
| 功率耗散 |
1.4 KW |
| 蕞大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
Half Bridge2 |
| 栅极/发射极蕞大电压 |
20 V |
| 安装风格 |
Screw |
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