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三五族半导体N型、P型锑化镓(GaSb)晶片,单面、双面抛光面议
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III-V化合物半导体锑化铟(InSb)衬底晶片,N、P型面议
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单面或双面抛光N型、P型砷化铟(InAs)半导体晶片面议
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(100)、(111)晶向N、P导电型单双抛锗(Ge)单晶片面议
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N型、P型、半绝缘型磷化铟(InP)化合物半导体衬底片面议
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蓝宝石\/硅\/碳化硅基氮化镓(GaN)外延片:LED,LD,HEMT应用面议
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日立能源ABBIGBT模块5SNG0600R120590(2*600A\/1200V)面议
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日立能源ABBIGBT模块5SNG0900R120500(2*900A\/1200V)面议
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日立能源ABBIGBT模块5SNG0150Q170300(150A\/1700V)面议
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日立能源ABBIGBT模块5SNG0200Q170300(200A\/1700V)面议